ウェハ（wafer）

純度の高いシリコンを一度溶かし、冷やして固めたインゴット(塊)を薄く切って板状にしたもの。

ウェハの直径は50mmから300mmまでいくつかあり、この径が大きいと1枚のウェハから多くのICチップを切り出せるため、技術革新に伴い、年々大きくなってきています。
2000年頃から直径300mmのシリコンウェハが実用化され、2004年にはシリコンウェハ生産数量の20%を占めたと言われています。

工程中でウェハの向きを合わせるため、周上にオリフラと呼ばれる直線部、またはノッチと呼ばれる切り欠きが設けられています。
また、結晶構造が製造する半導体素子の動作に最も適した方向となるよう、ウェハは特定の結晶方位に沿ってスライスされており、導電型と結晶方位によってオリフラの切り欠き位置が決まっています。

太陽光パネルの表面を観察してみると、太陽光パネルによって八角形のセルと正方形のセルが用いられていることがわかりますが、これは多結晶シリコンのインゴットは正方形、単結晶シリコンのインゴットは円筒状となっており、ウェハとしてスライスされる際の形状が異なることが理由とされています。

製造されたウェハに、pn層と電極を形成したものが「セル」となり、それを複数接続することで太陽光パネルが作られます。